快科技6月16日消息，随着端侧AI大模型的快速普及，智能手机内存带宽不足的问题日益凸显。
据科技媒体Wccftech引述微博爆料者定焦数码的最新消息，华为、小米等中国手机厂商正在研发一种名为“低延迟宽字节DRAM”（LLW）的新型内存技术，商用时间预计在在2027年下半年。
传统的高带宽内存（HBM）虽然性能强大，但由于智能手机内部空间紧凑，加上难以解决的散热问题，一直无法在移动设备上落地。
而LLW技术采用了类似HBM的整合式设计思路，但并非真正的HBM，而是专门针对手机受限的空间与散热条件定制化的版本，目标是解决现有LPDDR内存的性能瓶颈问题。
根据爆料，LLW内存理论上能够带来约1.5倍的性能提升，同时将功耗降低50%。不过原始报道并未明确指出这些指标的比较基准，外界普遍假设是以当前主流的LPDDR5X内存为参照。
这意味着如果参数属实，手机在运行大型AI模型时，不仅运算速度会大幅提升，发热和续航表现也将得到显著改善。
业内分析认为，随着手机端侧AI模型参数不断攀升，单纯提升NPU算力已经无法满足需求，内存系统正成为制约体验提升的最大短板。LLW等新型内存技术的出现，将为手机AI带来质的飞跃。
不过，目前LLW技术仍处于传闻阶段，量产良率、成本控制和生态适配等关键问题都还未明朗，所有细节都有待官方和供应链的进一步证实。
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